В России начали выращивать алмазы для создания нового поколения полупроводниковой техники

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ, 15 октября. /Корр. ИТАР-ТАСС Наталия Михальченко/. Группа петербургских и нижегородских ученых сегодня приступила к выращиванию искусственного алмаза для создания на его основе нового поколения полупроводниковой техники. Ученые Петербургского государственного электротехнического университета и Института прикладной физики РАН выиграли 90-миллионный мегагрант правительства России для проведения этих работ.

Сейчас при создании полупроводниковых приборов используется кремний, и в мире уже достигнут потолок возможностей приборов на его основе. "Применение искусственного алмаза вместо кремния даст мощный толчок развитию полупроводникового оборудования, отвечающего технологическим потребностям сегодняшнего и даже завтрашнего дня", - уверены специалисты.

Исследовательскую работу возглавил американский ученый с мировым именем Джеймс Батлер. Он прибыл в Россию полтора месяца назад и сформировал два научных подразделения - одно на базе электротехнического университета, второе на площадке Института прикладной физики РАН в Нижнем Новгороде. Группа состоит из полутора десятков человек, включая трех аспирантов и трех студентов.

Как рассказал ИТАР-ТАСС Алексей Канарейкин - руководитель группы ученых, которые заняты в проекте со стороны питерского университета, целью первого года работы станет выращивание нового типа искусственных алмазов, на второй год ученые сосредоточатся уже на создании приборов. "Это новый проект. Конечно, в мире есть исследователи, которые ведут свои поиски в том же направлении - во Франции, в США, но у нас есть все шансы осуществить этот прорыв - важная задача, перспективные кадры и хорошие деньги", - полагает Канарейкин.

В случае успешного продвижения проекта его финансирование может быть продолжено. Одним из условий предоставления правительственного мегагранта является привлечении в проект внебюджетных средстве в размере 25 проц от суммы гранта или 22,5 млн рублей.